Ji bo Makîneya Weldingê (SMJ-TC) Snubberê Kapacitorê Fîlmê ya Bilind-Navî

Snubber Kapacitorê Fîlmê ya Bilind-Karan ji bo Makîneya Welding (SMJ-TC) Wêneyê Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Modela Capacitor: SMJ-TC

Taybetmendî:

1. Elektrodên gwîza sifir

2. Mezinahiya fîzîkî ya piçûk û sazkirina hêsan

3. Teknolojiya pêlêdana tape Mylar

4. Dagirtina resinê hişk

5. Induktansa Rêzeya Wekheviya Kêm (ESL) û Berxwedana Rêzeya Wekhev (ESR)

Serlêdan:

1. GTO Snubber

2. Peak Voltage û Peak Avsorption û Parastina Ji bo Veguheztina Pêkhateya Di Amûrên Elektronîkî de

Derhênerên Snubber ji bo diodên ku di dorhêlên guheztinê de têne bikar anîn girîng in.Ew dikare diodek ji pêlên voltaja zêde, ku dibe ku di dema pêvajoya vegerandina berevajî de çêbibin, xilas bike.

E-nameyê ji me re bişînin Wekî PDF dakêşin

Detail Product

Tags Product

Daneyên teknîkî

Rêjeya germahiya xebitandinê	Germahiya xebitandinê ya herî zêde., jor, herî zêde: + 85 ℃ Germahiya kategoriya jorîn: +85 ℃ Germahiya kategoriya jêrîn: -40 ℃
range capacitance	0,22~3μF
voltaja binavkirî	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Li hemberî voltaja bisekinin	1.35Un DC/10S
Faktora belavbûnê	tgδ≤0.001 f=1KHz
Berxwedana insulasyonê	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (li 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (li 20℃ 100V.DC 60S)
Li hember herikîna lêdanê bisekinin	datasheet bibînin
Hêviya jiyanê	100000h(Nebe; Θhotspot≤70°C)
Standard standard	IEC 61071;

Taybetî

1. Kaseta Mylar, Bi resin hatiye morkirin;

2. Berikên gûzê sifir;

3. Berxwedana voltaja bilind, tgδ kêm, bilindbûna germahiya kêm;

4. ESL û ESR kêm;

5. Hêza nebza bilind.

Bikaranînî

1. GTO Snubber.

2. Bi berfirehî di alavên elektronîkî yên hêzê de tê bikar anîn dema ku voltaja lûtkeyê, parastina pijandinê ya lûtkeyê.

Çîroka tîpîk

xêzkirina nexşeyê

Specification

Un=3000V.DC
Kapasîteya (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasîteya (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasîteya (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasîteya (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasîteya (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70